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DKIP-1_V01	文件：306.02 Kbytes Page：3 Pages	CompensatedHighCurrentChoke,1-phase	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
DKLL-1_V01	文件：264.77 Kbytes Page：2 Pages	CompensatedHighInductanceChoke,1-phase	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
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EP1_V01	文件：467.62 Kbytes Page：10 Pages	WetTantalumCapacitors,HighEnergy,UltraHighCapacitance,-55°Cto125°COperation FEATURES ?Highenergy,veryhighcapacitancedesign ?Alltantalum,hermeticallysealedcase ?UtilizesVishayprovenSuperTan?technology ?2terminationsoptions:SMDandradial ?PATENT(S):www.vishay.com/patents ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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GSP1_V01	文件：420.43 Kbytes Page：5 Pages	IECApplianceInletC14orC18,Screw-onMounting,RearSide,PCBterminals	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
IE1_V01	文件：920.84 Kbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Goodshieldeffectbyusingmetalcase -Excellentfilteringcharacteristicsforbothdifferential modeandcommonmode -Twostageforexcellentfilteringcharacteristics -Epoxymoldedforreliability -Bidirectionalstructureeffectiveforbothnoisesfrom externallyandinter	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
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KFB1_V01	文件：447.17 Kbytes Page：5 Pages	IECApplianceInletC14withFilter,LineSwitch1-pole	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團	SCHURTER
M1_V01	文件：451.4 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDRECTIFIER Features ·Lowprofilepackage ·Idealforautomatedplacement ·Glasspassivatedchipjunctions ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowleakagecurrent ·Highforwardsurgecapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed: 350℃/10seconds,atterminals ·Componentinaccordanceto RoHS200	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
NXE1_V01	文件：729.15 Kbytes Page：10 Pages	Isolated1WSingleOutputSMDC-DCConverters Patentspending Lowerprofile UL60950recognised ANSI/AAMIES60601-1recognised 3kVDCIsolation“HiPotTest” Substrateembeddedtransformer Automatedmanufacture Industrystandardfootprint Shortcircuitprotection3 Halogenfree	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所	MURATA-PS
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更多DFCC1_V01供應(yīng)商更新時間2024-11-15 10:08:00

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