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DG458DJ	文件：162.08 Kbytes Page：13 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers FEATURES ?FaultandOvervoltageProtection ?AllChannelsOffWhenPowerOff ?Latchup-Proof ?FastSwitching-tA:200ns ?Break-Before-MakeSwitching ?LowOn-Resistance:180W ?LowPowerConsumption:3mW ?TTLandCMOSCompatibleInputs BENEFITS ?ImprovedRuggedness ?PowerLo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458DJ	文件：90.74 Kbytes Page：8 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458DJ	文件：131.24 Kbytes Page：10 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458DJ	文件：160.11 Kbytes Page：13 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458DJ-E3	文件：162.08 Kbytes Page：13 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers FEATURES ?FaultandOvervoltageProtection ?AllChannelsOffWhenPowerOff ?Latchup-Proof ?FastSwitching-tA:200ns ?Break-Before-MakeSwitching ?LowOn-Resistance:180W ?LowPowerConsumption:3mW ?TTLandCMOSCompatibleInputs BENEFITS ?ImprovedRuggedness ?PowerLo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458DJ-E3	文件：131.24 Kbytes Page：10 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458DJ-E3	文件：160.11 Kbytes Page：13 Pages	Fault-Protected Single 8-Ch/Differential 4-Ch Analog Multiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
FCX458	文件：27.74 Kbytes Page：1 Pages	SOT89PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ●BVCEO>-400V ●IC=-200mAHighContinuousCurrent ●ICM=-500mAPeakPulseCurrent ●ExcellenthFECharacteristicsupto-100mA ●LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：29.25 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANAR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：51.9 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO ●Ptot=1Watt	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FCX458	文件：18.44 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO Ptot=1Watt COMPLEMENTARYTYPE–FCX558 PARTMARKINGDETAIL–N58	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX458	文件：499.8 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：25.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458TA	文件：499.8 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458TA	文件：25.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FDLL458	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
FDLL458A	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
FDT458P	文件：99.75 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FMMT458	文件：36.23 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FMMT458	文件：79.35 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=1APeakPulseCurrent ?500mWPowerDissipation ?ExcellenthFECharacteristicsUpTo100mA ?ComplementaryPNPType:FMMT558 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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詳細參數(shù)

型號：
DG458DJ
功能描述：
多路器開關(guān) IC Sgl
8：
1 w/Fault Prot Multiplexer/MUX
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道數(shù)量：
1
開關(guān)數(shù)量：
4
開啟電阻（最大值）：
7 Ohms
傳播延遲時間：
0.25 ns
工作電源電壓：
2.3 V to 3.6 V
最大工作溫度：
+ 85 C
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
UQFN-16

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多DG458DJ供應商更新時間2025-1-11 16:30:00

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