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DG612AEY-T1-E3

1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches

DESCRIPTION TheDG611/612/613featurehigh-speedlow-capacitancelateralDMOSswitches.Chargeinjectionhasbeenminimizedtooptimizeperformanceinfastsample-and-holdapplications. FEATURES ●FastSwitching—tON:12ns ●LowChargeInjection:2pC ●WideBandwidth:500MHz ●5-VCMOSL

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

DG612AEY-T1-E3

1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches

FEATURES ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?Lowchargeinjection(1pCtyp.) ?Leakagecurrent

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DG612AEY-T1-E3

1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches

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詳細參數

  • 型號：

    DG612AEY-T1-E3

  • 功能描述：

    模擬開關 IC Quad SPST Switches

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 開關數量：

    2

  • 開關配置：

    SPDT

  • 開啟電阻（最大值）：

    0.1 Ohms

  • 工作電源電壓：

    2.7 V to 4.5 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    DSBGA-16

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DG612AEY-T1-E3供應商 更新時間2024-12-23 17:13:00

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