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DG636EN-T1-E4中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

DG636EN-T1-E4
廠(chǎng)商型號(hào)

DG636EN-T1-E4

功能描述

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

文件大小

192.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-22 8:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    DG636EN-T1-E4

  • 功能描述:

    模擬開(kāi)關(guān) IC Dual SPDT Switches

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 開(kāi)關(guān)數(shù)量:

    2

  • 開(kāi)關(guān)配置:

    SPDT

  • 開(kāi)啟電阻(最大值):

    0.1 Ohms

  • 工作電源電壓:

    2.7 V to 4.5 V

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    DSBGA-16

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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模擬開(kāi)關(guān)ICDualSPDTSwitches
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