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DGD2106MS8-13

Marking:DGD2106M;Package:SO-8;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHigh-Side/Low-SideConfiguation -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLogicandLow-SideGateDriverSupplyVoltage:10Vto20V -LogicInput(HINandLIN)3.3VCapability

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Diodes Incorporated

DGD2106MS8-13

Marking:DGD2106M;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER IN SO-8

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Diodes Incorporated

DGD2106MS8-13

Marking:DGD2106M;Package:SO-8;HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER

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DGD2106MS8-13

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

PAM

Diodes Incorporated

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DGD2106MS8-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.6V,2.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    100ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DGD2106MS8-13供應商 更新時間2025-1-22 16:20:00