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DHF10N40	文件：1.59586 Mbytes Page：12 Pages	10A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
DHI10N40	文件：1.59586 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
FTP10N40C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
IRF10N40	文件：100.28 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
MSF10N40	文件：1.1309 Mbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB10N40E	文件：331.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB10N40E	文件：282.56 Kbytes Page：11 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB10N40E	文件：273.15 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP10N40	文件：249.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP10N40	文件：85.2 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP10N40E	文件：1.033119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTP10N40E	文件：234.83 Kbytes Page：8 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTP10N40E	文件：249.4 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES400VOLTSRDS(on)=0.55OHMS N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedhighvoltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchi	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTW10N40E	文件：70.14 Kbytes Page：2 Pages	TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTW10N40E	文件：322.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB10N40	文件：305.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB10N40	文件：148.24 Kbytes Page：4 Pages	N??hannelPowerMOSFET 10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP10N40	文件：148.24 Kbytes Page：4 Pages	N??hannelPowerMOSFET 10AMPERES400VOLTSRDS(on)=500m? Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,powermotorcontrolsandbridgecircuits. Features ?HigherCurrentRating ?LowerRDS(on) ?LowerCapacitances ?LowerTotalGateCharge ?Tig	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
P10N40HA	文件：1.033119 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PHB10N40	文件：69.81 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	DHF30IM600PN	IXYS	24+	TO-220ABFP	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	DHF30IM600PN	IXYS	23+	TO-220ABFP	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	DHF30IM600PN	IXYS	2023+	TO-220AB	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	DHF30IM600PN	JD/晶導(dǎo)	23+	SMB(DO-214AA)	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
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深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	DHF30IM600PN	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	DHF30IM600PN	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	DHF30IM600PN	IXYS/艾賽斯	23+	TO-220ABFP	32322	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價

更多DHF10N40供應(yīng)商更新時間2024-12-27 16:30:00

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