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DMN2027UPS	文件：561.63 Kbytes Page：8 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2027USS	文件：270.54 Kbytes Page：8 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E-2027	文件：110.75 Kbytes Page：1 Pages	SERIES2000UPRIGHTCABINETRACK(LOUVERED)	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
F2027ERW	文件：225.6 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: ?20WOutputPower ?2:1InputVoltageRange ?1,500VDCIsolation ?Single&DualOutputs ?Efficiencyto86 ?Compact1.6x2In.Case ?-40°Cto+71°COperation ?IndustryStandardPin-Out ?LowestCost!!	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
F2027ERW	文件：217.73 Kbytes Page：2 Pages	F2000ERWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
FMS2027	文件：146.37 Kbytes Page：4 Pages	DC-20GHZMMICSPDTNON-REFLECTIVESWITCH	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
FMS2027	文件：184.53 Kbytes Page：5 Pages	DC-20GHZMMICSPDTABSORPTIVESWITCH	FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
FPF2027	文件：745.1 Kbytes Page：17 Pages	FullFunctionalLoadSwitchWith100mACurrentLimit GeneralDescription TheFPF2024/5/6/7arelowRDS(ON)P-ChannelMOSFETloadswitcheswith150mAtypicalcurrentlimitvaluetargetingsmallpackageloadswitchapplications.Theextendedinputvoltagerangespansfrom1.6Vto5.5VtofulfilltodaysUltraPortableDevicessupplyrequirements.Swit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G2027	文件：98.86 Kbytes Page：1 Pages	RubberPush-InBumpers	HeycoHeyco. 海科	Heyco
HAF2027	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplying	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAF2027(L)_15	文件：139.44 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAF2027L	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplying	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAF2027S	文件：116.62 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplying	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2027R	文件：55.61 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitchin Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT2027R	文件：97.32 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HAT2027R-EL-E	文件：97.32 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowon-resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIC2027	文件：880.94 Kbytes Page：6 Pages	SMARTTransmitterPowerSupply	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設(shè)備有限公司	PF
HIC2027DE	文件：885.14 Kbytes Page：6 Pages	SMARTTransmitterPowerSupply	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設(shè)備有限公司	PF
HIC2027ES	文件：777.75 Kbytes Page：5 Pages	SMARTTransmitterPowerSupply	PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）過程自動化控制設(shè)備有限公司	PF
HMMC-2027	文件：77.68 Kbytes Page：6 Pages	DC-26.5GHzSPDTGaAsMMICSwitch Description TheHMMC-2027isaGaAsmonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)designedforlowinsertionlossandhighisolationfromDCto26.5GHz.Itisintendedforuseasageneralpurpose,single-pole,doublethrow(SPDT),absorptiveswitch.TwoseriesandtwoshuntMESFETsperthrowpr	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP

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