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DME500分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

DME500
廠商型號

DME500
參數(shù)屬性

DME500 封裝/外殼為55KT；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT
功能描述

500 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1025 - 1150 MHz high power COMMON BASE bipolar transistor.
封裝外殼

55KT
文件大小

254.15 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 GHz Technology
企業(yè)簡稱

GHZTECH

中文名稱

GHz Technology官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-15 15:59:00
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DME500規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The DME 500 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1025-1150 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DME500

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.025GHz ~ 1.15GHz

  • 增益：

    6dB ~ 6.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1700W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10 @ 500mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    40A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55KT

  • 供應商器件封裝：

    55KT

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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