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DMG3130LQ中文資料雷卯電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DMG3130LQ
廠商型號

DMG3130LQ

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

764.68 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

LEIDITECH雷卯電子

中文名稱

上海雷卯電子科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 22:30:00

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DMG3130LQ規(guī)格書詳情

General Description

The u ses advanc ed tren ch technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge

and operation with gate voltages as low as 2.5V.

This device is suitable for use as a load switch or

in PWM applications.

DMG3130LQ

Features

VDS -30V

ID (at VGS=-10V) -5.0A

RDS(ON) (at VGS=-10V) 50mΩ(Max)

RDS(ON) (at VGS=-4.5V) 65mΩ(Max)

RDS(ON) (at VGS=-2.5V) 90mΩ(Max)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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