首頁(yè)>DMG4932LSD-13>詳情

DMG4932LSD-13_DIODES_MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD華來(lái)深電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    DMG4932LSD-13

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    DIODES

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    8650

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-17 14:31:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：DMG4932LSD-13品牌：DIODES

受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!

  • 芯片型號(hào)：

    DMG4932LSD-13

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    DIODES詳情

  • 廠商全稱：

    Diodes Incorporated

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大小：

    206.16 kb

  • 資料說(shuō)明：

    ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    DMG4932LSD-13

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華來(lái)深電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生

  • 手機(jī)：

    13751106682

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83238902/13662247350

  • 傳真：

    0755-83972189

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路國(guó)利大廈新亞洲二期N2B227

相近型號(hào)