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DMG6602SVT	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVT	文件：1.1316 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
DMG6602SVT_15	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVT-7	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ_15	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ-13	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6602SVTQ-7	文件：561.23 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EFC6602R	文件：323.53 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9m廓,DualEFCP N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9mΩ,DualEFCP Features ?2.5Vdrive ?Common-draintype ?2KVESDHBM ?Protectiondiodein ?Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
EFC6602R	文件：421.4 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch N-ChannelSiliconMOSFETLithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features ?2.5Vdrive ?Common-draintype ?2KVESDHBM ?Protectiondiodein ?Halogenfreecompliance	SANYOSanyo 三洋三洋電機株式會社	SANYO
EFC6602R	文件：755.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9mΩ,DualEFCP Features ?2.5Vdrive ?Common-draintype ?2KVESDHBM ?Protectiondiodein ?Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
EFC6602R-TR	文件：755.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9mΩ,DualEFCP Features ?2.5Vdrive ?Common-draintype ?2KVESDHBM ?Protectiondiodein ?Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
EFC6602R-TR	文件：323.53 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9m廓,DualEFCP N-ChannelPowerMOSFET12V,18A,5.9mΩ,DualEFCP Features ?2.5Vdrive ?Common-draintype ?2KVESDHBM ?Protectiondiodein ?Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FAN6602R	文件：1.58003 Mbytes Page：19 Pages	HighlyIntegratedGreen-ModePWMController	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FTK6602	文件：516.549 Kbytes Page：5 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HIP6602	文件：207.98 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602isahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxseriesofMulti-PhaseBuckPWMcontrollerandIntersil’sUltraFETs?formacomplete	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602	文件：516.36 Kbytes Page：9 Pages	DualChannelSynchronous-RectifiedBuckMOSFETDriver Features ?DrivesFourN-channelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevices ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small14-LeadSOICPackage ?5Vto12VGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-State	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIP6602A	文件：250.16 Kbytes Page：10 Pages	DualChannelSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602Aisahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdeviceisavailableineithera14leadSOICora16leadQFNpackagewithaPADtothermallyenhancethepackage.	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6602A	文件：602.39 Kbytes Page：10 Pages	DualChannelSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriver Features ?DrivesFourN-channelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevices ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small14-LeadSOICPackage ?Smaller16-LeadQFNThermallyEnhancedPackage ?5Vto12VGate-Dri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIP6602ACB	文件：250.16 Kbytes Page：10 Pages	DualChannelSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriver TheHIP6602Aisahighfrequency,twopowerchannelMOSFETdriverspecificallydesignedtodrivefourpowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdeviceisavailableineithera14leadSOICora16leadQFNpackagewithaPADtothermallyenhancethepackage.	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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詳細參數(shù)

型號：
DMG6602SVT
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
MOSFET NP CH COM PAIR 30V TSOT23
功能描述：
MOSFET, NP CH, COM PAIR, 30V, TSOT23
功能描述：
MOSFET, NP CH, COM PAIR, 30V, TSOT23; Transistor
Polarity：
N and P Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.4A; Drain Source Voltage
Vds：
30V; On Resistance
Rds(on)：
0.038ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Power Dissipation
Pd：
1.12W ;RoHS
Compliant：
Yes

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市博浩通科技有限公司	DMG6602SVT	DIODES/美臺	23+	SOT23-6	69000	全新原裝現(xiàn)貨熱賣/代理品牌/可申請樣品和規(guī)格書	詢價
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