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DMMT3906-TP	文件：146.54 Kbytes Page：4 Pages	PNP Small Signal Transistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-smallsurfacemountpackage ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
DMMT3906W	文件：67.61 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-40V ?IC=-200mAHighCollectorCurrent ?PairofPNPTransistorsThatAreIntrinsicallyMatched(Note1) ?2MatchingonCurrentGain(hFE) ?2mVMatchingonBase-EmitterVoltage(VBE) ?FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&am	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT3906W	文件：161.88 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMMT3906W	文件：183.35 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IntrinsicallyMatchedPNPPair(Note1) ?SmallSurfaceMountPackage ?2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ?GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DS3906	文件：260.1 Kbytes Page：14 Pages	TripleNVLowStepSizeVariableResistorPlusMemory	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
DS3906U	文件：260.1 Kbytes Page：14 Pages	TripleNVLowStepSizeVariableResistorPlusMemory	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
DST3906DJ	文件：134.13 Kbytes Page：6 Pages	DUAL40VPNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?VCEO=-40V ?IC=-200mA ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?UltraSmallPackage	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DXT3906	文件：237.96 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT3906	文件：183.49 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeAvailable(DXT3904) ?IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses ?IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) ?GreenDevice(Note2)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EN3906A	文件：369.9 Kbytes Page：6 Pages	PINDiodeforVHF,UHF,AGCApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
FFB3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10μAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FFB3906D	文件：497.7 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposePNPTransistor DualGeneralPurposePNPTransistor TheFFB3906Ddeviceisspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdevi	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FJX3906	文件：41.85 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Feature ?General-PurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FJX3906TF	文件：47.33 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Feature ?General-PurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FMB3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10μAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FMBT3906	文件：36.7 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheFMBT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FMBT3906	文件：61.96 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistorCollector-EmitterVoltageVCEO-40 PNPGeneralPurposeTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
FMBT3906W	文件：135.46 Kbytes Page：10 Pages	SMDPNPTransistor 200mASiliconPNPEpitaxialPlanarTransistor Features ?Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=-40V@IC=-1.0mA) ?Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. ?Capa	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
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詳細參數(shù)

型號：
DMMT3906-TP
功能描述：
兩極晶體管 - BJT 200mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多DMMT3906-TP供應(yīng)商更新時間2024-12-23 20:18:00

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