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DMN2004WK	文件：152.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance:RDS(ON) ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?ESDProtectedupto2KV ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qu	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DMN2004WK	文件：2.64703 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMN2004WK-7	文件：152.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance:RDS(ON) ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?ESDProtectedupto2KV ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qu	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2004WK_09	文件：178.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DMP2004DWK	文件：153.87 Kbytes Page：5 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features ?DualP-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltageVGS(TH)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2004K	文件：147.86 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresholdVoltageVGS(TH)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2004K	文件：405.01 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DMP2004VK	文件：147.93 Kbytes Page：5 Pages	DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ?DualP-ChannelMOSFET ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresholdVoltageVG	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMP2004WK	文件：223.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance ?VeryLowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DPO2004B	文件：1.03188 Mbytes Page：18 Pages	MixedSignalOscilloscopes	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
DPO2004B	文件：961.61 Kbytes Page：18 Pages	MixedSignalOscilloscopes MixedSignalOscilloscopes Offeringupto200MHzbandwidthand1GS/ssamplerate,theMSO/DPO2000BMixedSignalOscilloscopeSeriesfromTektronixdeliversadvanceddebugfeaturesatanentry-levelprice.Quicklyfindanddiagnoseproblemsincomplexdesignswithupto20channelsforanalyzin	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中國)有限公司	TEKTRONIX

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
DMN2004WK
制造商：
DIODES
制造商全稱：
Diodes Incorporated
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多DMN2004WK供應(yīng)商更新時間2024-11-15 18:26:00

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