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DMN2170U-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features ?LowOn-Resistance ?70mΩ@VGS=4.5V ?100mΩ@VGS=2.5V ?170mΩ@VGS=1.5V ?VeryLowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes2,3and6) ?QualifiedtoAEC-Q101S

DIODES

Diodes Incorporated

DMP2170U-7

LowOn-Resistance

DIODES

Diodes Incorporated

詳細參數(shù)

  • 型號:

    DMN2170U-7

  • 功能描述:

    MOSFET 600mW 20Vdss

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DIODES/美臺
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更多DMN2170U-7供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 17:41:00