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DS1220AB-200+

包裝:托盤 封裝/外殼:24-DIP 模塊(0.600",15.24mm) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1220AB-200

64kNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1220AB-200IND

64kNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1220AB-200-IND

16KNonvolatileSRAM

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

DS1220AB-200-IND

16kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1220ABandDS1220AD16kNonvolatileSRAMsare16,384-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas2048wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensucha

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1220AB-200-IND

16kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1220Y16kNonvolatileSRAMisa16,384-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas2048 wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythat constantlymonitorVCCforanout-of-tolerancecondition. FEATURES 10ye

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DS1220AB-200+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    200ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    24-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    24-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MAXIM/美信
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11360
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6672
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MOD
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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更多DS1220AB-200+供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 11:12:00