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DS1220Y-100IND+ 集成電路(IC)存儲器 DALLAS/亞德諾
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
DS1220Y-100IND+
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
16Kb(2K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
100ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
24-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
24-EDIP
- 描述:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
Alan
- 手機(jī):
13316570454
- 詢價:
- 電話:
13316570454
- 地址:
深圳市福田區(qū)荔村社區(qū)2008號華聯(lián)發(fā)綜合樓811
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