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DS1230AB-100+

包裝：管件 封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1230AB-100

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1230AB-100IND

256kNonvolatileSRAM

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1230AB-100-IND

256kNonvolatileSRAM

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DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DS1230AB-100+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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DALLAS授權(quán)代理品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多DS1230AB-100+供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-9 9:18:00

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