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DS1230W-100IND+

3.3V 256k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1230W-100IND+

Package：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1230W-100

3.3V256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230W3.3V256kNonvolatileSRAMisa262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitry,whichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacond

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1230W-100+

3.3V256kNonvolatileSRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

產品屬性

  • 產品編號：

    DS1230W-100IND+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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更多DS1230W-100IND+供應商 更新時間2025-2-2 9:38:00

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