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DS1230Y-100IND

256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1230Y-100

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

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更多DS1230Y-100IND供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 14:00:00

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