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DS1230Y-120IND+_集成電路（IC） 存儲器-亞德諾

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1+
  • 廠家型號：

    DS1230Y-120IND+

  • 制造商：

    AD/亞德諾

  • 庫存數量：

    35

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 包裝：

    管件

  • 安裝類型：

    通孔

  • 更新時間：

    2025-2-4 15:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號：DS1230Y-120IND+品牌：Analog Devices Inc./Maxim Integrated

資料說明：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

DS1230Y-120IND+是集成電路（IC） > 存儲器。制造商AD/亞德諾生產封裝28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）的DS1230Y-120IND+存儲器存儲器是集成電路上用作數據存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    ds1230y-120ind+

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    AD【亞德諾】詳情

  • 廠商全稱：

    Analog Devices

  • 中文名稱：

    亞德諾半導體技術有限公司

  • 資料說明：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    DS1230Y-120IND+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    120ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應商器件封裝：

    28-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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