DS1230Y-85+_集成電路(IC) 存儲器-亞德諾

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  • 廠家型號:

    DS1230Y-85+

  • 制造商:

    AD/亞德諾

  • 庫存數(shù)量:

    1

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 包裝:

    托盤

  • 安裝類型:

    通孔

  • 更新時間:

    2024-11-2 19:35:00

  • 詳細信息
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原廠料號:DS1230Y-85+品牌:Analog Devices Inc./Maxim Integrated

資料說明:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

DS1230Y-85+是集成電路(IC) > 存儲器。制造商AD/亞德諾生產(chǎn)封裝28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)的DS1230Y-85+存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    ds1230y-85+

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    AD【亞德諾】詳情

  • 廠商全稱:

    Analog Devices

  • 中文名稱:

    亞德諾半導體技術(shù)有限公司

  • 資料說明:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1230Y-85+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    85ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應商器件封裝:

    28-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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