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DS1245Y-100

1024k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1245Y-100

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

DS1245Y-100

Package:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:管件 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1245Y-100+

Package:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝:托盤(pán) 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DS1245Y-100

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    100ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
DALLAS
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只做全新進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存
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更多DS1245Y-100供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-28 14:00:00