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DS1245Y集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

DS1245Y
廠商型號(hào)

DS1245Y

參數(shù)屬性

DS1245Y 封裝/外殼為32-DIP 模塊(0.600",15.24mm);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

功能描述

1024k Nonvolatile SRAM

文件大小

229.51 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Dallas Semiconductor
企業(yè)簡稱

Dallas亞德諾

中文名稱

亞德諾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-2 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DS1245Y-100+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    100ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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