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DS1250AB-70

4096k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1250AB-70

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1250AB-70+

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1250AB-70IND+

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1250AB-70IND

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1250AB-70IND+

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1250AB-70

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MAXIM/美信
24+
DIP32
11360
ADI優(yōu)勢主營型號-原裝正品
 詢價
DALLAS
05+
16
全新原裝 絕對有貨
 詢價
DALLAS
24+
DIP
875
詢價
MAX/DALL
16+
原廠封裝
4612
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
DALLAS
新
8
全新原裝 貨期兩周
 詢價
MAXIM
23+
MOD
8888
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
DALLAS
18+
DIP
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
 詢價
DALLAS
23+
MOD
65480
詢價
DALLAS
22+
DIP
10000
原裝正品優(yōu)勢現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
DALLAS
2023+
菲律濱產(chǎn)
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
更多DS1250AB-70供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 16:17:00

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