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DS1250Y-70

4096k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1250Y-70

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1250Y-70+

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1250Y-70IND

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1250Y-70IND+

4096k Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1250Y-70IND

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1250Y-70IND+

包裝：托盤 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1250Y-70

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應商器件封裝：

    32-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DALLAS
05+
DIP
1200
全新原裝絕對自己公司現(xiàn)貨
 詢價
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2020+
DIP32
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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DALLAS
2021+
DIP
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價
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28000
現(xiàn)貨庫存，歡迎新老客戶來電訂購~~~
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2022
DIP
5280
原廠原裝正品,價格超越代理
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23+
DIP
9526
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24+
20000
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DIP-32
2500
長期原裝現(xiàn)貨,特價供應!
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22+
DIP
3600
絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣!
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CDIP-32
9980
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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更多DS1250Y-70供應商 更新時間2024-11-5 10:32:00

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