DS1258W-150_集成電路（IC）存儲器-亞德諾

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廠家型號：
DS1258W-150
制造商：
AD/亞德諾
庫存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）
包裝：
卷帶（TR）
安裝類型：
通孔
更新時間：
2024-12-29 14:10:00

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原廠料號：DS1258W-150品牌：Analog Devices Inc./Maxim Integrated

資料說明：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

DS1258W-150是集成電路（IC） > 存儲器。制造商AD/亞德諾生產(chǎn)封裝40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）的DS1258W-150存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
ds1258w-150
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
AD【亞德諾】詳情
廠商全稱：
Analog Devices
中文名稱：
亞德諾半導體技術(shù)有限公司
資料說明：
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
DS1258W-150
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
NVSRAM
技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量：
2Mb（128K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
150ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）
供應商器件封裝：
40-EDIP
描述：
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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