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DS1258W-150集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
DS1258W-150 |
| 參數(shù)屬性 | DS1258W-150 封裝/外殼為40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP |
| 功能描述 | 3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| 封裝外殼 | 40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm） |
| 文件大小 |
167.31 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Dallas Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Dallas【亞德諾】 |
| 中文名稱(chēng) | 亞德諾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-13 22:36:00 |
| 人工找貨 | DS1258W-150價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
DS1258W-150規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The DS1258W 3.3V 128k x 16 Nonvolatile SRAM is a 2,097,152-bit, fully static, nonvolatile (NV) SRAM, organized as 131,072 words by 16 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry, which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. DIP-package DS1258W devices can be used in place of solutions which build nonvolatile 128k x 16 memory by utilizing a variety of discrete components. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
FEATURES
? 10-Year Minimum Data Retention in the Absence of External Power
? Data is Automatically Protected During a Power Loss
? Separate Upper Byte and Lower Byte Chip Select Inputs
? Unlimited Write Cycles
? Low-Power CMOS
? Read and Write Access Times as Fast as 100ns
? Lithium Energy Source is Electrically Disconnected to Retain Freshness Until Power is Applied for the First Time
? Optional Industrial Temperature Range of -40°C to +85°C, Designated IND
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
DS1258W-150
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
NVSRAM
- 技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存儲(chǔ)容量：
2Mb（128K x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
150ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
40-DIP 模塊（0.610"，15.495mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
40-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
1126+ |
DIP |
33 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
Maxim |
21+ |
40EDIP |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Analog Devices Inc/Maxim Integ |
23+/24+ |
40-DIP |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價(jià) | ||
DALLAS |
23+ |
DIP |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
DALLAS |
ROHS |
13352 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
DALLAS |
23+ |
MOD |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Maxim |
22+ |
40EDIP |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
DALLAS |
23+ |
MOD |
65480 |
詢價(jià) | |||
Maxim |
24+ |
40DIP |
6118 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
DALLAS |
05+ |
PSDIP |
5 |
自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨 |
詢價(jià) |
