DS1265W集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
DS1265W |
| 參數(shù)屬性 | DS1265W 封裝/外殼為36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP |
| 功能描述 | 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| 文件大小 |
155.91 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Dallas Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Dallas【亞德諾】 |
| 中文名稱 | 亞德諾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-26 16:30:00 |
DS1265W規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The DS1265W 8Mb nonvolatile (NV) SRAMs are 8,388,608-bit, fully static, NV SRAMs organized as 1,048,576 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.
FEATURES
? 10 years minimum data retention in the absence of external power
? Data is automatically protected during power loss
? Unlimited write cycles
? Low-power CMOS operation
? Read and write access times as fast as 100ns
? Lithium energy source is electrically disconnected to retain freshness until power is applied for the first time
? Optional industrial (IND) temperature range of -40°C to +85°C
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
DS1265W-100+
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
NVSRAM
- 技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存儲(chǔ)容量：
8Mb（1M x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
100ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）
- 供應(yīng)商器件封裝：
36-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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