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DS1265Y-70IND+

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:36-DIP 模塊(0.610",15.49mm) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1265Y-70IND+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    8Mb(1M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應商器件封裝:

    36-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1265Y-70IND+供應商 更新時間2025-1-11 9:00:00