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DS1270AB-70IND集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

DS1270AB-70IND
廠商型號

DS1270AB-70IND

參數(shù)屬性

DS1270AB-70IND 封裝/外殼為36-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

功能描述

16M Nonvolatile SRAM

文件大小

173.5 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Dallas Semiconductor
企業(yè)簡稱

Dallas亞德諾

中文名稱

亞德諾半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 11:29:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DS1270AB-70IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    16Mb(2M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應商器件封裝:

    36-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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