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DS1270Y-70

16M Nonvolatile SRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1270Y-70

包裝：管件 封裝/外殼：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

DS1270Y-70

包裝：托盤 封裝/外殼：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

DS1270Y-70#

16M Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1270Y-70#

16M Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1270Y-70IND

16M Nonvolatile SRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1270Y-70IND#

16M Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導體

DS1270Y-70IND

包裝：管件 封裝/外殼：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1270Y-70

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    16Mb（2M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）

  • 供應商器件封裝：

    36-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DS
17+
DIP
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
DS
24+
DIP#
4000
原裝原廠代理 可免費送樣品
 詢價
DS
2021+
DIP
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價
DS
23+
DIP#
5
原裝，可配單
 詢價
DALLAS
24+
20000
詢價
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DIP
1000
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
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06+
PSDIP
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全新原裝 絕對有貨
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DALLAS
23+
DIP
9526
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2016+
DIP
6528
只做進口原裝現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十!
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DALLAS
24+
2645
絕對原裝自家現(xiàn)貨!真實庫存!歡迎來電!
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更多DS1270Y-70供應商 更新時間2024-12-29 16:00:00

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