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DS276S	文件：132.45 Kbytes Page：11 Pages	LowPowerTransceiverChip DESCRIPTION TheDS276Line-PoweredRS-232TransceiverChipisaCMOSdevicethatprovidesalow-cost,verylow-powerinterfacetoRS-232serialports.ThereceiverinputtranslatesRS-232signallevelstocommonCMOS/TTLlevels.Thetransmittercanbeusedwithindependentlysuppliedpositivea	Dallas Dallas Semiconductor	Dallas
EG276	文件：644.55 Kbytes Page：11 Pages	TwophasebrushlessfanHalldrivingchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微電子屹晶微電子有限公司	EGMICRO
FS276	文件：317.6 Kbytes Page：12 Pages	2phasehighvoltageDCMotorDriverIC	FEELINGFeeling Technology Corp. 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FS276LF-A	文件：317.6 Kbytes Page：12 Pages	2phasehighvoltageDCMotorDriverIC	FEELINGFeeling Technology Corp. 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FS276LF-Bu	文件：317.6 Kbytes Page：12 Pages	2phasehighvoltageDCMotorDriverIC	FEELINGFeeling Technology Corp. 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FS276LF-C	文件：317.6 Kbytes Page：12 Pages	2phasehighvoltageDCMotorDriverIC	FEELINGFeeling Technology Corp. 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING
FW276	文件：426.15 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
G276P	文件：223.49 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryOutputHallEffectLatchedSinkDriverIC	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
G276P	文件：226.02 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryOutputHallEffectLatchedSinkDriverIC	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
HSB276AS	文件：23.83 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforBalancedMixer Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?HSB276ASwhichisinterconnectedinseriesconfigurationisdesignedforbalancedmixeruse. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSB276AS	文件：149.81 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforBalancedMixer Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?HSB276ASwhichisinterconnectedinseriesconfigurationisdesignedforbalancedmixeruse. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSB276AS	文件：44.78 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?HSB276ASwhichisinterconnectedinseriesconfigurationisdesignedforbalancedmixeruse. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
HSB276AYP	文件：33.8 Kbytes Page：5 Pages	SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODEFORHIGHSPEEDSWITCHING Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?CMPAK-4Packageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSB276AYP	文件：148.33 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?CMPAK-4Packageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSB276S	文件：27.18 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforBalancedMixer Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?HSB276Swhichisinterconnectedinseries configurationisdesignedforbalancedmixeruse. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSB276S	文件：64.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetectorandMixer Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?HSB276Swhichisinterconnectedinseries configurationisdesignedforbalancedmixeruse. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSB276S	文件：44.06 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ●Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ●HSB276Swhichisinterconnectedinseries configurationisdesignedforbalancedmixeruse. ●CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
HSC276	文件：24.26 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforMixer Features ?Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC276	文件：61.56 Kbytes Page：5 Pages	HSC276_03	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSC276	文件：31.78 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ●Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ●UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN

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更多DS276ES供應(yīng)商更新時間2024-11-19 15:47:00

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