DS28E10R+T_集成電路（IC）存儲器-亞德諾

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3000+	￥8.39289

廠家型號：
DS28E10R+T
制造商：
AD/亞德諾
庫存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包裝：
卷帶（TR）
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2025-2-4 23:00:00

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詳細信息
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原廠料號：DS28E10R+T品牌：Analog Devices Inc./Maxim Integrated

資料說明：IC EPROM 224B 1-WIRE SOT23-3

DS28E10R+T是集成電路（IC） > 存儲器。制造商AD/亞德諾生產(chǎn)封裝TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的DS28E10R+T存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
ds28e10r+t
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
AD【亞德諾】詳情
廠商全稱：
Analog Devices
中文名稱：
亞德諾半導體技術有限公司
資料說明：
IC EPROM 224B 1-WIRE SOT23-3

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
DS28E10R+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
EPROM
技術：
EPROM - OTP
存儲容量：
224b（28 x 8）
存儲器接口：
1-Wire?
電壓 - 供電：
2.8V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SOT-23-3
描述：
IC EPROM 224B 1-WIRE SOT23-3

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DS28E10R+T_集成電路（IC） 存儲器-亞德諾

DS28E10R+T

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