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DSS4160T分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

DSS4160T
廠商型號

DSS4160T

參數(shù)屬性

DSS4160T 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

功能描述

60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

327.41 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-10 20:00:00

DSS4160T規(guī)格書詳情

Features

BVCEO > 60V

IC = 1A High Continuous Collector Current

ICM = 2A Peak Pulse Current

RCE(sat) = 280mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

Low Saturation Voltage VCE(sat) < 280mV @ 1A

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

PPAP Capable (Note 4)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DSS4160TQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    280mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

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