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DTA114ECA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTA114ECA
廠商型號

DTA114ECA

參數(shù)屬性

DTA114ECA 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3

功能描述

Digital Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

176.32 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-28 22:30:00

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DTA114ECA規(guī)格書詳情

FEATURES

● Epitaxial planar die construction.

● Complementary NPN types available(DTC)

● Built-in biasing resistors,R1=R2

● Also available in lead free version.

APPLICATIONS

● The PNP style digital transistor.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DTA114ECAT116

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SST3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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