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DTA114TE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTA114TE
廠商型號

DTA114TE

參數(shù)屬性

DTA114TE 封裝/外殼為SC-89,SOT-490;包裝為剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL

功能描述

Digital Transistor

絲印標識

94

封裝外殼

SOT-523 / SC-89,SOT-490

文件大小

98.92 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 16:28:00

DTA114TE規(guī)格書詳情

FEATURES

● Epitaxial planar die construction.

● Complementary NPN types available(DTC).

● Built-in biasing resistors,R1only.

● Also available in lead free version.

APPLICATIONS

● The PNP style digital transistor.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DTA114TEBMGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    DTA114T

  • 包裝:

    剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-89,SOT-490

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    EMT3F(SOT-416FL)

  • 描述:

    TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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