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DTA115EE3HZG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTA115EE3HZG
廠商型號(hào)

DTA115EE3HZG

參數(shù)屬性

DTA115EE3HZG 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI

功能描述

PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI

文件大小

1.3568 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-28 13:05:00

DTA115EE3HZG規(guī)格書詳情

Features

1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100kΩ

2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 an inverter circuit without connecting external

 input resistors (see inner circuit) .

3) Only the on/off conditions need to be set

 for operation, making the circuit design easy.

4) Complementary NPN Types: DTC115EE3 HZG

Application

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

DTA115EE3HZG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的DTA115EE3HZG晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項(xiàng)目成本。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DTA115EE3HZGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    82 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    EMT3

  • 描述:

    PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM
2023+
SC70-3
80000
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ROHM/羅姆
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Rohm Semiconductor
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