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DTA115TM分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTA115TM
廠商型號

DTA115TM

參數(shù)屬性

DTA115TM 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

功能描述

Digital transistors (built-in resistor)

絲印標(biāo)識

99

封裝外殼

VMT3 / SOT-723

文件大小

52.44 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-3 23:00:00

DTA115TM規(guī)格書詳情

Features

1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 100kΩ

2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) .

3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.

4) Complementary NPN Types: DTC115T series

Application

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DTA115TMT2L

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 100μA,1mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    VMT3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
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