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DTB513ZE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTB513ZE
廠商型號

DTB513ZE

參數(shù)屬性

DTB513ZE 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

功能描述

-500mA/-12V Low VCE(sat)Digital transistor

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

1.08544 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 13:01:00

DTB513ZE規(guī)格書詳情

Features

1) VCE(sat) is lower than conventional products.

2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit).

3) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive. biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects.

Application

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DTB513ZETL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 100mA,2V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    EMT3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ROHM
21+
SOT-416
21000
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24+
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21+
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