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DTC114TE分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTC114TE
廠商型號

DTC114TE
參數(shù)屬性

DTC114TE 封裝/外殼為SC-75，SOT-416；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
功能描述

Digital Transistors (BRT)
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
封裝外殼

SC-75，SOT-416
文件大小

140.6 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 22:58:00
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DTC114TE規(guī)格書詳情

DTC114TE屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預偏置。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的DTC114TE晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    DTC114TET1

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    160 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 1mA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-75，SOT-416

  • 供應商器件封裝：

    SC-75，SOT-416

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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