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DTC114YE3HZG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTC114YE3HZG
廠商型號(hào)

DTC114YE3HZG

參數(shù)屬性

DTC114YE3HZG 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:NPN, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI

功能描述

NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

絲印標(biāo)識(shí)

64

封裝外殼

SOT-416 / SC-75,SOT-416

文件大小

1.38936 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-1 23:00:00

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DTC114YE3HZG規(guī)格書詳情

lFeatures

1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 10kΩ, R2 = 47kΩ.

2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 an inverter circuit without connecting external

 input resistors (see inner circuit) .

3) Only the on/off conditions need to be set

 for operation, making the circuit design easy.

4) Complementary PNP Types: DTA114YE3 HZG

lApplication

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DTC114YE3HZGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    68 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    EMT3

  • 描述:

    NPN, SOT-416, R1R2 LEAK ABSORPTI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
CJ/長(zhǎng)電
23+
NA/
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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原裝正品現(xiàn)貨,可開13點(diǎn)稅
詢價(jià)