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DTC115EET1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTC115EET1
廠商型號

DTC115EET1

參數(shù)屬性

DTC115EET1 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

功能描述

Bias Resistor Transistor
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

102.91 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 16:12:00

DTC115EET1規(guī)格書詳情

DTC115EET1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的DTC115EET1晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

Bias Resistor Transistor

NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base?emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC?75/SOT?416 package which is designed for low power surface mount applications.

Features

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? The SC?75/SOT?416 Package Can be Soldered Using Wave or Reflow

? The Modified Gull?Winged Leads Absorb Thermal Stress During Soldering Eliminating the Possibility of Damage to the Die

? Pb?Free Packages are Available

? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    DTC115EET1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應商器件封裝:

    SC-75,SOT-416

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

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