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DTC123EM中文資料WEITRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

DTC123EM
廠商型號(hào)

DTC123EM

參數(shù)屬性

DTC123EM 封裝/外殼為SOT-723;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI

功能描述

Bias Resistor Transistor NPN Silicon

文件大小

292.87 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Weitron Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WEITRON

中文名稱

Weitron Technology

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-16 20:00:00

DTC123EM規(guī)格書詳情

Bias Resistor Transistor NPN Silicon

P/b Lead(P/b)-Free

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DTC123EMFHAT2L

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 20mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    VMT3

  • 描述:

    NPN, SOT-723, R1=R2 POTENTIAL DI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
23+
NA/
8000
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ROHM
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