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DTDG14GPT100

1A/60VDigitalTransistor(withbuilt-inresistorandzenerdiode)

Features 1)HighhFE.(typ.hFE=750VCE/IC=2V/0.5A) 2)Lowsaturationvoltage,VCE(sat)=0.4V(IC/IB=500mA/5mA) 3)Built-inzenerdiodetoprotectthetransistoragainstreversevoltageswhenconnectedtoalowload. Structure NPNdigitaltransistor(withsinglebuiltresistoran

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

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更多DTDF14GPT100供應商 更新時間2024-12-25 16:30:00

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