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FA2803F	文件：611.61 Kbytes Page：7 Pages	EarthLeakageDetector	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FA2803P	文件：611.61 Kbytes Page：7 Pages	EarthLeakageDetector	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM2803	文件：1.53576 Mbytes Page：8 Pages	HB-LEDdriverchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HM2803A	文件：1.12532 Mbytes Page：8 Pages	3WHB-LEDdriverchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HSMS-2803	文件：139.06 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TypicalapplicationsoftheseSchottkydiodesaremixing,detectin	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
HSMS-2803	文件：196.33 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodesHighBreakdownVoltage Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導體	BOARDCOM
HSMS-2803	文件：196.56 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
HV2803	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features ?32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch ?NoHigh-VoltageSuppliesRequired ?32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching ?3.3VCMOSInputLogicLevel ?66MHzDataShiftClockFrequency ?Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
HV2803/AHA	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features ?32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch ?NoHigh-VoltageSuppliesRequired ?32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching ?3.3VCMOSInputLogicLevel ?66MHzDataShiftClockFrequency ?Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRLML2803	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：191.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRLML2803	文件：377.58 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRLML2803GPBF	文件：247.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML2803GTRPBF	文件：1.07155 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLML2803PBF	文件：296.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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