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E3632A

Programmable DC Power Supplies

KEYSIGHTKeysight Technologies

是德科技是德科技（中國）有限公司

E3632S

2C12SOLIDBCFLEXOASFLEXFireAlarm/LifeSafetyCable

GENERALGeneral Cable Technologies Corporation

通用電氣公司美國通用電氣公司

FDB3632

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDB3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,80A,9m?

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDB3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDB3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

Features ●rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A ●Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

FDH3632

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDH3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDI3632

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDI3632

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,80A,9m?

Features ?rDS(ON)=7.5m?(Typ.),VGS=10V,ID=80A ?Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCconvertersandOff-LineUPS ?Distribute

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
AgilentTechnologiesTestE
新
11
全新原裝 貨期兩周
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Agilent Technologies Test Equi
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Keysight
21+
-
6
全新原裝鄙視假貨15118075546
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更多E3632A供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 16:06:00

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