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FDZ299P	文件：178.73 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchBGAMOSFET GeneralDescription CombiningFairchild’sadvanced2.5VspecifiedPowerTrenchprocesswithstateoftheartBGApackaging,theFDZ299PminimizesbothPCBspaceandRDS(ON).ThisBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellentthermaltransf	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HCTS299D	文件：118.29 Kbytes Page：13 Pages	RadiationHardened8-BitUniversalShiftRegister;Three-State Description TheIntersilHCTS299MSisaRadiationHardened8-bitshift/storageregisterwiththree-statebusinterfacecapability.Theregisterhasfoursynchronousoperatingmodescontrolledbythetwoselectinputs(S0,S1).Themodeselect,theserialdata(DS0,DS7)andtheparalleldata(IO	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HCTS299D	文件：529.32 Kbytes Page：12 Pages	RadiationHardened8-BitUniversalShiftRegister;Three-State Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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HP299	文件：3.57274 Mbytes Page：9 Pages	Introduction	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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晶體管資料

型號(hào)：
ECG299
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
射頻/高頻放大（HF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
35V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
200MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
NTE299,2S1017,2SC1018,
最大耗散功率：
10W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-110
vtest：
35
htest：
200000000
atest：
1
wtest：
10

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	ECG2CM010D11OTBVZC		24+	N/A	47000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司	ECG2CM010D11OTBVZC	YUNXING	24+	con	100	現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index	詢價(jià)
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天津市博通航睿技術(shù)有限公司	ECG2CM470G17OTBO	YUNXING			30		詢價(jià)
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更多ECG299供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-27 10:06:00

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