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ECH8655R-R-TL-H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
ECH8655R-R-TL-H |
| 參數(shù)屬性 | ECH8655R-R-TL-H 封裝/外殼為8-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列；產(chǎn)品描述：MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 |
| 功能描述 | N-Channel Power MOSFET |
| 封裝外殼 | 8-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
176.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-12 14:19:00 |
ECH8655R-R-TL-H規(guī)格書詳情
ECH8655R-R-TL-H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ECH8655R-R-TL-H晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
ECH8655R-R-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 包裝：
卷帶（TR）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-ECH
- 描述：
MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
21+ |
ECH8 |
2980 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
8-ECH |
25000 |
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詢價(jià) | ||
ONSemiconductor |
18+ |
NA |
3611 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ON |
2020+ |
SOT-383 |
80000 |
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詢價(jià) | ||
ON(安森美) |
22+ |
NA |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
14+;12+ |
ECH8 |
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詢價(jià) | ||
Sanyo |
23+ |
ECH8 |
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詢價(jià) | ||
ONSEMICONDUCTOR |
21+ |
DNA |
31313 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
ECH-8 |
9908 |
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詢價(jià) |
