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ECH8659分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

ECH8659
廠商型號(hào)

ECH8659

參數(shù)屬性

ECH8659 封裝/外殼為8-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

功能描述

Power MOSFET
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

文件大小

471 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-29 13:38:00

ECH8659規(guī)格書詳情

ECH8659屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ECH8659晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.

Features

? 4V drive

? Composite type, Facilitating high-density mounting

? ESD Diode-Protected Gate

? Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance

Typical Applications

? LiB Protection Switch

? Motor Drive

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    ECH8659-TL-HX

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-ECH

  • 描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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24+
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35400
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