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ECS-2532VXO

SMD VCXO

ECS

ECS, Inc.

ECS-2532VXO-270A-2.8

SMD VCXO

ECS

ECS, Inc.

ECS-2532VXO-270A-3.3

SMD VCXO

ECS

ECS, Inc.

ECS-2532VXO-270B-2.8

SMD VCXO

ECS

ECS, Inc.

ECS-2532VXO-270B-3.3

SMD VCXO

ECS

ECS, Inc.

ECS-2532VXO-270B-2.8

包裝:帶 封裝/外殼:4-SMD,無引線 類別:晶體,振蕩器,諧振器 振蕩器 描述:XTAL OSC VCXO 27.0000MHZ CMOS

ECS Inc.ECS Inc.

ECSECS Inc.

ECS-2532VXO-540B-2.8

包裝:管件 封裝/外殼:4-SMD,無引線 類別:晶體,振蕩器,諧振器 振蕩器 描述:XTAL OSC VCXO 54.0000MHZ CMOS

ECS Inc.ECS Inc.

ECSECS Inc.

EDD2532DGBH-TT

256MbitsDDRMobileRAM??WTR(WideTemperatureRange)

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

EDS2532CABH

256MbitsSDRAM(8Mwordsx32bits)

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

EDS2532CABJ

256MbitsSDRAM

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

EDS2532CASG

256MbitsSDRAM

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

EDS2532EGBH-TT

256MbitsSDRAMWTR(WideTemperatureRange)

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

FDB2532

N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,79A,16m?

Features ?rDS(ON)=14m?(Typ.),VGS=10V,ID=33A ?Qg(tot)=86nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Formerlydevelopmentaltype82884 Applications ?DC/DCconve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDB2532

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=79A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDI2532

N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,79A,16m?

Features ?rDS(ON)=14m?(Typ.),VGS=10V,ID=33A ?Qg(tot)=86nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Formerlydevelopmentaltype82884 Applications ?DC/DCconve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDI2532

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=79A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP2532

N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,79A,16m?

Features ?rDS(ON)=14m?(Typ.),VGS=10V,ID=33A ?Qg(tot)=86nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Formerlydevelopmentaltype82884 Applications ?DC/DCconve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP2532

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQK2532

FerriteCores

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

GC2532

POWERGENERATIONStepRecoveryDiodes

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    ECS-2532VXO

  • 功能描述:

    OSC VCXO 27.000 MHZ 2.8V SMD

  • RoHS:

  • 類別:

    晶體和振蕩器 >> 振蕩器

  • 系列:

    ECS-2532VXO

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    VG-4512CA

  • 類型:

    VCXO

  • 頻率:

    153.6MHz

  • 功能:

    三態(tài)(輸出啟用)

  • 輸出:

    LVPECL

  • 電源電壓:

    3.3V

  • 頻率穩(wěn)定性:

    -

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C 電流 -

  • 電源(最大):

    60mA

  • 額定值:

    -

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 尺寸/尺寸:

    0.276 L x 0.197 W(7.00mm x 5.00mm)

  • 高度:

    0.071(1.80mm)

  • 封裝/外殼:

    6-SMD,無引線(DFN,LCC)

  • 包裝:

    Digi-Reel® 電流 -

  • 電源(禁用)(最大):

    -

  • 其它名稱:

    SER3790DKR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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